-
Mandrini Ceramici ad Instrumenta Semiconductoria Adaptata ST.CERA
Presione isostatica frigida formata et sub alta temperatura sinterizata, deinde accurate machinata et polita, partes ceramicae, ob suas proprietates resistentiae attritionis, resistentiae corrosionis, expansionis thermalis humilis, et insulationis, omnibus requisitis strictis apparatuum semiconductorum satisfacere possunt. Ceramica in multis generibus apparatuum productionis semiconductorum, sub condicione altae temperaturae, vacui vel gasis corrosivi, diu operari potest.
Ex pulvere aluminae magnae puritatis factus, per pressionem isostaticam frigidam, sinterizationem altae temperaturae et subtilitatem tractatus, tolerantiam dimensionum ad ±0.001 mm, polituram superficialem Ra 0.1, resistentiam temperaturae 1600℃ attingere potest.
-
Partes Substitutae Ceramicae pro Apparatu Probe Semiconductoris
Presione isostatica frigida formata et sub alta temperatura sinterizata, deinde accurate machinata et polita, partes ceramicae, ob suas proprietates resistentiae attritionis, resistentiae corrosionis, expansionis thermalis humilis, et insulationis, omnibus requisitis strictis apparatuum semiconductorum satisfacere possunt. Ceramica in multis generibus apparatuum productionis semiconductorum, sub condicione altae temperaturae, vacui vel gasis corrosivi, diu operari potest.
Ex pulvere aluminae magnae puritatis factus, per pressionem isostaticam frigidam, sinterizationem altae temperaturae et subtilitatem tractatus, tolerantiam dimensionum ad ±0.001 mm, polituram superficialem Ra 0.1, resistentiam temperaturae 1600℃ attingere potest.
-
Partes Ceramicae Aluminae Altae Puritatis ad Usus Semiconductorum et Industriales
St.Cera partes ceramicas ex alumina (Al₂O₃) accurate machinatas ad specificationes emptorum fabricat. Hae partes, alumina altae puritatis 99.8% utentes, praebent excellentem firmitatem flexuralem (361 MPa), magnam duritiem (16 GPa), et eximiam firmitatem dielectricam (15×10⁶ V/m). Ad apparatum semiconductorum, coetus attritioni resistentes, insulatores electricos, et lumina altae temperaturae destinatae, materia absorptionem aquae fere nullam (0%) et coefficientem expansionis thermalis 7.2×10⁻⁶/℃ praebet, stabilitatem dimensionalem sub condicionibus extremis praestans.
-
Clavus Ceramicus Sustentans pro Apparatibus Processus Semiconductoris
Clavi ceramici sustentantes St.Cera (etiam clavi elevatorii vel clavi sustentatorii noti) in cameris semiconductorum ad elevandas crustas vel substrata durante manipulatione, calefactione, vel refrigeratione adhibentur. Ex 99.8% alumina vel silicii nitrido fabricati, hi clavi magnam vim compressionis, stabilitatem thermalem, et resistentiam chemicam offerunt. Designatio hemisphaerica vel plana apicis scalpendi crustas impedit.
-
Nucleus Ceramicus Aluminae Altae Puritatis pro Apparatibus Semiconductorum
Nucleus ceramicus aluminae St.Cerae ex 99.8% Al₂O₃ summae puritatis accurate formatus est, praebens firmitatem dielectricam exceptionalem (15×10⁶ V/m), stabilitatem thermalem usque ad 1600°C, et resistentiam repentis sub onere. Hi nuclei ut partes structurales in instrumentis processuum altae temperaturae, basibus calefactoriis, tegumentis camerarum plasmatis, et insulatoribus electricis adhibentur. Alta duritia materiae (16 GPa) et humilis absorptio aquae (0%) firmitatem diuturnam in ambitus asperis praestant.
-
ST.CERA ad Anulum Ceramicum Aluminae et Discum Ceramicum Aptata
Presione isostatica frigida formata et sub alta temperatura sinterizata, deinde accurate machinata et polita, partes ceramicae, ob suas proprietates resistentiae attritionis, resistentiae corrosionis, expansionis thermalis humilis, et insulationis, omnibus requisitis strictis apparatuum semiconductorum satisfacere possunt. Ceramica in multis generibus apparatuum productionis semiconductorum, sub condicione altae temperaturae, vacui vel gasis corrosivi, diu operari potest.
Ex pulvere aluminae magnae puritatis factus, per pressionem isostaticam frigidam, sinterizationem altae temperaturae et subtilitatem tractatus, tolerantiam dimensionum ad ±0.001 mm, polituram superficialem Ra 0.1, resistentiam temperaturae 1600℃ attingere potest.
