Cum commodis amplis functionis materiarum substratarum Al₂O₃ et BeO traditarum coniunctis, ceramica Aluminii Nitridi (AlN), quae magnam conductivitatem thermalem (monocrystalli conductivitatem thermalem theoreticam 275W/m▪k, polycrystalli conductivitatem thermalem theoreticam 70~210W/m▪k), constantem dielectricam humilem, coefficientem expansionis thermalis cum silicio monocrystallino congruentem, et bonas proprietates insulationis electricae habet, materia idealis est pro substratis circuituum et involucris in industria microelectronica. Etiam materia magni momenti est pro componentibus ceramicis structuralibus altae temperaturae propter bonas proprietates mechanicas altae temperaturae, proprietates thermales, et stabilitatem chemicam.
Densitas theoretica AlN est 3.26g/cm3, durities MOHS est 7-8, resistentia temperaturae ambiente maior est quam 1016Ωm, et expansivitas thermalis est 3.5×10-6/℃ (temperatura ambiente 200℃). Ceramicae purae AlN incolorae et pellucidae sunt, sed variis coloribus, ut griseae, griseo-albae vel flavescentes, ob impuritates, praediti sunt.
Praeter magnam conductivitatem thermalem, ceramicae AlN etiam sequentia commoda habent:
1. Bona insulatio electrica;
2. Similis coefficiens expansionis thermalis cum monocrystallo silicii, superior materiis sicut Al₂O₃ et BeO;
3. Alta robur mechanicum et similis robur flexurale cum ceramicis Al2O3;
4. Constans dielectrica et iactura dielectrica moderatae;
5. Comparata cum BeO, conductivitas thermalis ceramicae AlN minus afficitur temperatura, praesertim supra 200℃;
6. Resistentia altae temperaturae et resistentia corrosionis;
7. Non toxicum;
8. Ad industriam semiconductorum, industriam metallurgiae chemicae, et alia spatia industrialia adhiberi potest.
Tempus publicationis: XIV Iulii, MMXXIII