vexilla_paginae

Partes Substitutae Ceramicae Semicon

  • Lamina Ceramica Aluminae Magni Formati pro Apparatu Semiconductorio et Industriali

    Lamina Ceramica Aluminae Magni Formati pro Apparatu Semiconductorio et Industriali

    St.Cera laminas ceramicas magni formae ex alumina purissima 99.8% (Al₂O₃) fabricat, dimensionibus maximis usque ad 1500mm longitudinis et 600mm latitudinis. Nostrae facultates triturae accuratae planitatem 0.003mm per 100mm et parallelismum 0.002mm assequuntur, qualitatem superficiei constantem pro applicationibus magnae areae praestantes. Crassitudo usque ad 100mm, politura superficialis usque ad Ra0.1. Hae laminae ut bases mandrinorum vacui, laminae calefactoriae, tabulae insulationis electricae, et sola camerae processus in fabricatione semiconductorum, monitorum, et photovoltaicorum serviunt. Foramina pervia, foramina contraiacta, et perfilatio marginum praesto sunt.

     

  • ST.CERA Bucle ceramica semiconductoria ad usum aptata

    ST.CERA Bucle ceramica semiconductoria ad usum aptata

    Processus criticus campi semiconductorum in conclavi puro perfici debet, praesertim pro illis instrumentis quae sub condicionibus altae temperaturae, vacui et gasi corrosivi adhibenda sunt. Ceramicae stabilitatem magnam in ambitu physico-chemico implicato servare possunt.

  • ST.CERA Instrumenta semiconductoria ad usum aptata Mandrini ceramici

    ST.CERA Instrumenta semiconductoria ad usum aptata Mandrini ceramici

    Processus criticus campi semiconductorum in conclavi puro perfici debet, praesertim pro illis instrumentis quae sub condicionibus altae temperaturae, vacui et gasi corrosivi adhibenda sunt. Ceramicae stabilitatem magnam in ambitu physico-chemico implicato servare possunt.

  • ST.CERA Apparatus semiconductoris ad usum aptatus Lamina ceramica

    ST.CERA Apparatus semiconductoris ad usum aptatus Lamina ceramica

    Processus criticus in agro semiconductorum in conclavi puro perfici debet, praesertim pro illis instrumentis quae sub condicionibus altae temperaturae, vacui et gasi corrosivi adhibenda sunt. Ceramicae stabilitatem magnam in ambitu physico-chemico implicato servare possunt.

  • ST.CERA Anulus focalis ceramicus semiconductoris ad personam aptatus

    ST.CERA Anulus focalis ceramicus semiconductoris ad personam aptatus

    Processus criticus campi semiconductorum in conclavi puro perfici debet, praesertim pro illis instrumentis quae sub condicionibus altae temperaturae, vacui et gasi corrosivi adhibenda sunt. Ceramicae stabilitatem magnam in ambitu physico-chemico implicato servare possunt.

  • Anulus Focalis Ceramici Semiconductoris ST.CERA Adaptatus

    Anulus Focalis Ceramici Semiconductoris ST.CERA Adaptatus

    Ex ceramica aluminae summae puritatis (supra 99.5%) facta, per pressionem isostaticam frigidam formata et sub alta temperatura sinterizata, deinde accurate machinata et polita, partes ceramicae substitutae, ob suas proprietates resistentiae attritionis, resistentiae corrosionis, expansionis thermalis humilis, et insulationis, omnibus requisitis strictis apparatuum semiconductorum satisfacere possunt.

    Ob proprietates resistentiae altae temperaturae, resistentiae corrosionis, resistentiae abrasionis et insulationis, ceramica in multis generibus apparatuum productionis semiconductorum sub condicione altae temperaturae, vacui vel gasi corrosivi diu operari potest.

    Ex pulvere aluminae magnae puritatis factus, per pressionem isostaticam frigidam, sinterizationem altae temperaturae et subtilitatem tractatus, tolerantiam dimensionum ad ±0.001 mm, perfectionem superficialem Ra 0.1, resistentiam temperaturae 1600℃ attingere potest.

  • ST.CERA Semiconductoris Praecisionis Aluminae Ceramicae Butyrum

    ST.CERA Semiconductoris Praecisionis Aluminae Ceramicae Butyrum

    Ex ceramica aluminae summae puritatis (supra 99.5%) facta, per pressionem isostaticam frigidam formata et sub alta temperatura sinterizata, deinde accurate machinata et polita, partes ceramicae substitutae, ob suas proprietates resistentiae attritionis, resistentiae corrosionis, expansionis thermalis humilis, et insulationis, omnibus requisitis strictis apparatuum semiconductorum satisfacere possunt.

    Ob proprietates resistentiae altae temperaturae, resistentiae corrosionis, resistentiae abrasionis et insulationis, ceramica in multis generibus apparatuum productionis semiconductorum sub condicione altae temperaturae, vacui vel gasi corrosivi diu operari potest.

    Ex pulvere aluminae magnae puritatis factus, per pressionem isostaticam frigidam, sinterizationem altae temperaturae et subtilitatem tractatus, tolerantiam dimensionum ad ±0.001 mm, perfectionem superficialem Ra 0.1, resistentiam temperaturae 1600℃ attingere potest.

  • Partes Apparatus Semiconductoris Effectoris Finalis Aluminae Ceramicae

    Partes Apparatus Semiconductoris Effectoris Finalis Aluminae Ceramicae

    Impedite particulas quae ex marginibus bevelis vel angulatis et superficie posteriori generari possunt dum crustae transportantur vel cum Effectore Finali / Brachio Tractatorio in contactu sunt.

    Pro ducibus, materia mollis adhibita est quae laminam non laedit.

    Extenuatio fieri potest per technologiam canalium vacui inclusam in ST.CERA quae glutina non utitur.

    Foramina ad figendum facere et longitudinem latitudinemque basis, ubi Effector Finalis / Bracchium Tractans in roboto affixum est, mutare licet.

    Sensoria, cochleas et fulcra affigere optio praesto est.

    Ad usum in atmosphaera designatum.

  • Partes Structurales Ceramicae Aluminae Praecisionis Resistentes Altae Temperaturae

    Partes Structurales Ceramicae Aluminae Praecisionis Resistentes Altae Temperaturae

    Partes structurales ceramicae sunt vocabulum generale variarum formarum implicatarum partium ceramicarum. Formantur pressione sicca vel pressione isostatica frigida, et sub alta temperatura sinterizantur, deinde accurate machinantur.

    Ex pulvere aluminae magnae puritatis factus, per pressionem isostaticam frigidam, sinterizationem altae temperaturae et subtilitatem tractatus, tolerantiam dimensionum ad ±0.001 mm, perfectionem superficialem Ra 0.1, resistentiam temperaturae 400℃~800℃ attingere potest.

  • Ceramicae Altae Praecisionis et Complexae pro Componentibus Structuralibus Ceramicis Aluminae

    Ceramicae Altae Praecisionis et Complexae pro Componentibus Structuralibus Ceramicis Aluminae

    Partes structurales ceramicae sunt vocabulum generale variarum formarum implicatarum partium ceramicarum. Formantur pressione sicca vel pressione isostatica frigida, et sub alta temperatura sinterizantur, deinde accurate machinantur.

    Ex pulvere aluminae magnae puritatis factus, per pressionem isostaticam frigidam, sinterizationem altae temperaturae et subtilitatem tractatus, tolerantiam dimensionum ad ±0.001 mm, perfectionem superficialem Ra 0.1, resistentiam temperaturae 400℃~800℃ attingere potest.

  • Partes Substitutae pro Apparatu Mechanico ex Componentibus Structuralibus Ceramicis Aluminae

    Partes Substitutae pro Apparatu Mechanico ex Componentibus Structuralibus Ceramicis Aluminae

    Partes structurales ceramicae sunt vocabulum generale variarum formarum implicatarum partium ceramicarum. Formantur pressione sicca vel pressione isostatica frigida, et sub alta temperatura sinterizantur, deinde accurate machinantur.

    Ex pulvere aluminae magnae puritatis factus, per pressionem isostaticam frigidam, sinterizationem altae temperaturae et subtilitatem tractatus, tolerantiam dimensionum ad ±0.001 mm, perfectionem superficialem Ra 0.1, resistentiam temperaturae 400℃~800℃ attingere potest.

  • Taenia Ceramica Aluminae Insulans Componentes Structurales Ceramicae

    Taenia Ceramica Aluminae Insulans Componentes Structurales Ceramicae

    Partes structurales ceramicae sunt vocabulum generale variarum formarum implicatarum partium ceramicarum. Formantur pressione sicca vel pressione isostatica frigida, et sub alta temperatura sinterizantur, deinde accurate machinantur.

    Ex pulvere aluminae magnae puritatis factus, per pressionem isostaticam frigidam, sinterizationem altae temperaturae et subtilitatem tractatus, tolerantiam dimensionum ad ±0.001 mm, perfectionem superficialem Ra 0.1, resistentiam temperaturae 400℃~800℃ attingere potest.

1234Deinde >>> Pagina 1 / 4