-
Mandrinum Ceramicum Instrumentorum Semiconductorum Altae Praecisionis ad Usum Proprium ST.CERA
Presione isostatica frigida formata et sub alta temperatura sinterizata, deinde accurate machinata et polita, partes ceramicae, ob suas proprietates resistentiae attritionis, resistentiae corrosionis, expansionis thermalis humilis, et insulationis, omnibus requisitis strictis apparatuum semiconductorum satisfacere possunt. Ceramica in multis generibus apparatuum productionis semiconductorum, sub condicione altae temperaturae, vacui vel gasis corrosivi, diu operari potest.
Ex pulvere aluminae magnae puritatis factus, per pressionem isostaticam frigidam, sinterizationem altae temperaturae et subtilitatem tractatus, tolerantiam dimensionum ad ±0.001 mm, polituram superficialem Ra 0.1, resistentiam temperaturae 1600℃ attingere potest.
-
Partes Ceramicae Anuli Ceramici Aluminae Altae Praecisionis
Presione isostatica frigida formata et sub alta temperatura sinterizata, deinde accurate machinata et polita, partes ceramicae, ob suas proprietates resistentiae attritionis, resistentiae corrosionis, expansionis thermalis humilis, et insulationis, omnibus requisitis strictis apparatuum semiconductorum satisfacere possunt. Ceramica in multis generibus apparatuum productionis semiconductorum, sub condicione altae temperaturae, vacui vel gasis corrosivi, diu operari potest.
Ex pulvere aluminae magnae puritatis factus, per pressionem isostaticam frigidam, sinterizationem altae temperaturae et subtilitatem tractatus, tolerantiam dimensionum ad ±0.001 mm, polituram superficialem Ra 0.1, resistentiam temperaturae 1600℃ attingere potest.
-
Anulus Ceramicus Aluminae Insulatus, Altae Temperaturae Resistens
Presione isostatica frigida formata et sub alta temperatura sinterizata, deinde accurate machinata et polita, partes ceramicae, ob suas proprietates resistentiae attritionis, resistentiae corrosionis, expansionis thermalis humilis, et insulationis, omnibus requisitis strictis apparatuum semiconductorum satisfacere possunt. Ceramica in multis generibus apparatuum productionis semiconductorum, sub condicione altae temperaturae, vacui vel gasis corrosivi, diu operari potest.
Ex pulvere aluminae magnae puritatis factus, per pressionem isostaticam frigidam, sinterizationem altae temperaturae et subtilitatem tractatus, tolerantiam dimensionum ad ±0.001 mm, polituram superficialem Ra 0.1, resistentiam temperaturae 1600℃ attingere potest.
-
Disci Ceramici Aluminae Praecisionis Altae Pressurae Resistentes
Presione isostatica frigida formata et sub alta temperatura sinterizata, deinde accurate machinata et polita, partes ceramicae, ob suas proprietates resistentiae attritionis, resistentiae corrosionis, expansionis thermalis humilis, et insulationis, omnibus requisitis strictis apparatuum semiconductorum satisfacere possunt. Ceramica in multis generibus apparatuum productionis semiconductorum, sub condicione altae temperaturae, vacui vel gasis corrosivi, diu operari potest.
Ex pulvere aluminae magnae puritatis factus, per pressionem isostaticam frigidam, sinterizationem altae temperaturae et subtilitatem tractatus, tolerantiam dimensionum ad ±0.001 mm, polituram superficialem Ra 0.1, resistentiam temperaturae 1600℃ attingere potest.
-
Partes Substitutae Ceramicae Aluminae Praecisionis
Presione isostatica frigida formata et sub alta temperatura sinterizata, deinde accurate machinata et polita, partes ceramicae, ob suas proprietates resistentiae attritionis, resistentiae corrosionis, expansionis thermalis humilis, et insulationis, omnibus requisitis strictis apparatuum semiconductorum satisfacere possunt. Ceramica in multis generibus apparatuum productionis semiconductorum, sub condicione altae temperaturae, vacui vel gasis corrosivi, diu operari potest.
Ex pulvere aluminae magnae puritatis factus, per pressionem isostaticam frigidam, sinterizationem altae temperaturae et subtilitatem tractatus, tolerantiam dimensionum ad ±0.001 mm, polituram superficialem Ra 0.1, resistentiam temperaturae 1600℃ attingere potest.
-
Disci ceramici aluminae altae puritatis
Presione isostatica frigida formata et sub alta temperatura sinterizata, deinde accurate machinata et polita, partes ceramicae, ob suas proprietates resistentiae attritionis, resistentiae corrosionis, expansionis thermalis humilis, et insulationis, omnibus requisitis strictis apparatuum semiconductorum satisfacere possunt. Ceramica in multis generibus apparatuum productionis semiconductorum, sub condicione altae temperaturae, vacui vel gasis corrosivi, diu operari potest.
Ex pulvere aluminae magnae puritatis factus, per pressionem isostaticam frigidam, sinterizationem altae temperaturae et subtilitatem tractatus, tolerantiam dimensionum ad ±0.001 mm, polituram superficialem Ra 0.1, resistentiam temperaturae 1600℃ attingere potest.
-
Anuli Insulationis Ceramici Anuli Focalisationis Ceramici
Presione isostatica frigida formata et sub alta temperatura sinterizata, deinde accurate machinata et polita, partes ceramicae, ob suas proprietates resistentiae attritionis, resistentiae corrosionis, expansionis thermalis humilis, et insulationis, omnibus requisitis strictis apparatuum semiconductorum satisfacere possunt. Ceramica in multis generibus apparatuum productionis semiconductorum, sub condicione altae temperaturae, vacui vel gasis corrosivi, diu operari potest.
Ex pulvere aluminae magnae puritatis factus, per pressionem isostaticam frigidam, sinterizationem altae temperaturae et subtilitatem tractatus, tolerantiam dimensionum ad ±0.001 mm, polituram superficialem Ra 0.1, resistentiam temperaturae 1600℃ attingere potest.
-
ST.CERA Anulus Claustrae Ceramicae Aluminae Praesidium Insulationis
Presione isostatica frigida formata et sub alta temperatura sinterizata, deinde accurate machinata et polita, partes ceramicae, ob suas proprietates resistentiae attritionis, resistentiae corrosionis, expansionis thermalis humilis, et insulationis, omnibus requisitis strictis apparatuum semiconductorum satisfacere possunt. Ceramica in multis generibus apparatuum productionis semiconductorum, sub condicione altae temperaturae, vacui vel gasis corrosivi, diu operari potest.
Ex pulvere aluminae magnae puritatis factus, per pressionem isostaticam frigidam, sinterizationem altae temperaturae et subtilitatem tractatus, tolerantiam dimensionum ad ±0.001 mm, polituram superficialem Ra 0.1, resistentiam temperaturae 1600℃ attingere potest.
-
Partes Ceramicae Anuli Ceramici Aluminae Altae Praecisionis
Presione isostatica frigida formata et sub alta temperatura sinterizata, deinde accurate machinata et polita, partes ceramicae, ob suas proprietates resistentiae attritionis, resistentiae corrosionis, expansionis thermalis humilis, et insulationis, omnibus requisitis strictis apparatuum semiconductorum satisfacere possunt. Ceramica in multis generibus apparatuum productionis semiconductorum, sub condicione altae temperaturae, vacui vel gasis corrosivi, diu operari potest.
Ex pulvere aluminae magnae puritatis factus, per pressionem isostaticam frigidam, sinterizationem altae temperaturae et subtilitatem tractatus, tolerantiam dimensionum ad ±0.001 mm, polituram superficialem Ra 0.1, resistentiam temperaturae 1600℃ attingere potest.
-
Mandrini Ceramici ad Instrumenta Semiconductoria Adaptata ST.CERA
Presione isostatica frigida formata et sub alta temperatura sinterizata, deinde accurate machinata et polita, partes ceramicae, ob suas proprietates resistentiae attritionis, resistentiae corrosionis, expansionis thermalis humilis, et insulationis, omnibus requisitis strictis apparatuum semiconductorum satisfacere possunt. Ceramica in multis generibus apparatuum productionis semiconductorum, sub condicione altae temperaturae, vacui vel gasis corrosivi, diu operari potest.
Ex pulvere aluminae magnae puritatis factus, per pressionem isostaticam frigidam, sinterizationem altae temperaturae et subtilitatem tractatus, tolerantiam dimensionum ad ±0.001 mm, polituram superficialem Ra 0.1, resistentiam temperaturae 1600℃ attingere potest.
-
Instrumenta Semiconductoria Partes Substitutae Ceramicae Vectores Ceramici
Presione isostatica frigida formata et sub alta temperatura sinterizata, deinde accurate machinata et polita, partes ceramicae, ob suas proprietates resistentiae attritionis, resistentiae corrosionis, expansionis thermalis humilis, et insulationis, omnibus requisitis strictis apparatuum semiconductorum satisfacere possunt. Ceramica in multis generibus apparatuum productionis semiconductorum, sub condicione altae temperaturae, vacui vel gasis corrosivi, diu operari potest.
Ex pulvere aluminae magnae puritatis factus, per pressionem isostaticam frigidam, sinterizationem altae temperaturae et subtilitatem tractatus, tolerantiam dimensionum ad ±0.001 mm, polituram superficialem Ra 0.1, resistentiam temperaturae 1600℃ attingere potest.
-
Partes Substitutae Ceramicae pro Apparatu Stationis Specillorum Semiconductorum
Presione isostatica frigida formata et sub alta temperatura sinterizata, deinde accurate machinata et polita, partes ceramicae, ob suas proprietates resistentiae attritionis, resistentiae corrosionis, expansionis thermalis humilis, et insulationis, omnibus requisitis strictis apparatuum semiconductorum satisfacere possunt. Ceramica in multis generibus apparatuum productionis semiconductorum, sub condicione altae temperaturae, vacui vel gasis corrosivi, diu operari potest.
Ex pulvere aluminae magnae puritatis factus, per pressionem isostaticam frigidam, sinterizationem altae temperaturae et subtilitatem tractatus, tolerantiam dimensionum ad ±0.001 mm, polituram superficialem Ra 0.1, resistentiam temperaturae 1600℃ attingere potest.
