vexillo_paginae

Anulus Ceramicus Aluminae Altae Puritatis pro Cameris Processus CVD/PVD

Anulus Ceramicus Aluminae Altae Puritatis pro Cameris Processus CVD/PVD

Descriptio Brevis:

Anulus ceramicus St.Cera specialiter designatus est ad usum in cameris processuum CVD (Depositione Vaporis Chemici) et PVD (Depositione Vaporis Physica). Fabricatus ex alumina altae puritatis 99.8% (Al₂O₃), hic anulus fungitur ut tegumentum camerae, anulus focalis, vel elementum apparatus processus ad plasmam continendum et parietes camerae ab erosione protegendos. Materia praebet excellentem resistentiam plasmatis, magnam vim dielectricam (15×10⁶ V/m), et stabilitatem thermalem usque ad 1600°C, longam vitam utilem in ambitus plasmatis aggressivis fluoro fundatis praestans. Tolerantiae dimensionales praecisae (±0.05 mm in DI/OD) et planities (≤10 μm) permittunt situm congruentem marginis lamellae, uniformitatem depositionis emendantes et generationem particularum reducentes.


Detalia Producti

Etiquettae Productarum

Anulus ceramicus St.Cera specialiter designatus est ad usum in cameris processuum CVD (Depositione Vaporis Chemici) et PVD (Depositione Vaporis Physica). Fabricatus ex alumina altae puritatis 99.8% (Al₂O₃), hic anulus fungitur ut tegumentum camerae, anulus focalis, vel elementum apparatus processus ad plasmam continendum et parietes camerae ab erosione protegendos. Materia praebet excellentem resistentiam plasmatis, magnam vim dielectricam (15×10⁶ V/m), et stabilitatem thermalem usque ad 1600°C, longam vitam utilem in ambitus plasmatis aggressivis fluoro fundatis praestans. Tolerantiae dimensionales praecisae (±0.05 mm in DI/OD) et planities (≤10 μm) permittunt situm congruentem marginis lamellae, uniformitatem depositionis emendantes et generationem particularum reducentes.

 

Specificationes (ex 99.8% Al₂O₃):

Possessio Valor
Materia 99.8% Alumina (Ebur)
Densitas 3.93 g/cm³
Absorptio Aquae 0%
Robur Flexurale 361 MPa
Robustitia Fracturae 3–4 MPa·m¹/²
Duritia Vickersiana 16 GPa
Modulus Youngi 380 GPa
Conductivitas Thermalis 32 W/m·k
Expansio Thermica (25–1000°C) 7.2×10⁻⁶/℃
Robur Dielectricum 15×10⁶ V/m
Resistentia Specifica >10¹⁴ Ω·cm
Temperatura Operativa Maxima 1600°C

 

Applicationes:

  • · Anuli focales camerae CVD et anuli marginales
  • · Anuli scuti camerae PVD et anuli fibulae
  • · Tegumenta camerae corrosionis et anuli operculi
  • Anuli confinamentorum plasmatis in systematibus corrosionis dielectricae

 

Processus Fabricationis:

Pressio isostatica → machinatio viridis → sinterizatio ad 1600°C → trituratio CNC diametri interni/externi → laevigatio superficiei → purgatio ultrasonica → inspectio CMM 100%. Superficies laevissima (Ra ≤0.4 μm) adhaesionem particularum minuit.

 

Qualitatis Moderatio:

  • · Inspectio dimensionalis centum per centum (diametrorum interiorum, diametrorum exteriorum, crassitudo, planities)
  • · Inspectio penetrans tincturae ad microfissuras superficiales
  • · Examen roboris dielectrici secundum ASTM D149
  • · Nulla discoloratio vel porositas sub microscopio 20× visibilis

 

Commoda prae anulis metallicis vel quarzo:

  • · Vita quinquies vel decies longior quam anuli aluminii in plasma fluori
  • · Nulla contaminatio metallica in pelliculis tenuibus
  • · Resistentia plasmatis altior quam quartzi (nullae putei erosionis)
  • · Insulationem electricam >10¹⁴ Ω·cm etiam post usum diuturnum servat

 

Materia Alternativa — Nitridum Silicii (Si)N):

Pro applicationibus quae tenacitatem fracturae etiam maiorem (6.2 MPa·m¹/²) et resistentiam ictui thermali meliorem (coefficiens expansionis 3.2×10⁻⁶/℃) requirunt, anuli Si₃N₄ praesto sunt. Attamen, alumina pretio minoris pretii est pro plerisque applicationibus CVD/PVD. Quaeso, materiam praeferre debes cum iubes.

 

Adaptatio:

  • · Foramina pervia, perfiles gradatim dispositi, vel foramina contraiacta ad inserendum
  • · Superficies Y₂O₃-obducta ad resistentiam plasmatis auctam (ad libitum)
  • · Incisionem lasericam numeri partis / codicis sortis

 

Nota:Data supradicta stricte tabulam proprietatum Al₂O₃ datam sequuntur. Pro anulis Si₃N₄, vide separatam schedam technicam Si₃N₄ provisam.


  • Praecedens:
  • Deinde: