vexilla_paginae

Mandrinum Vacuum e Carburo Silicii (SiC) Fundatum ad Ambitus Altae Temperaturae et Plasmae

Mandrinum Vacuum e Carburo Silicii (SiC) Fundatum ad Ambitus Altae Temperaturae et Plasmae

Descriptio Brevis:

Mandrinum ceramicum St.Cera, e carburo silicii magnae puritatis fabricatum est (series S1111, SiC 99.72%, Si liberum 0.05%). Robur flexurale mensuratum 449 MPa, tenacitatem fracturae 3.12 MPa·m¹/², et modulum elasticitatis 457 GPa praebet. Typica conductivitas thermalis materiae (120–150 W/m·K) et expansio thermalis humilis (4.0–4.5×10⁻⁶/℃) celerem temperaturae augmentum et minimam deformationem lamellae durante cyclis thermalibus permittunt. Mandrinum configurari potest ut mandrinum vacuum porosum (fluxus gasis uniformis) vel mandrinum standard sulcatum. Cum temperatura usus maxima 1600–1700°C (sine onere) et resistentia erosionis plasmatis exceptionali, hoc mandrinum ideale est ad processum lamellarum altae temperaturae (recoctio, RTP) et ad cameras corrosionis aggressivas ubi mandrini aluminae degradantur.


Detalia Producti

Etiquettae Productarum

Mandrinum ceramicum St.Cera, e carburo silicii magnae puritatis fabricatum est (series S1111, SiC 99.72%, Si liberum 0.05%). Robur flexurale mensuratum 449 MPa, tenacitatem fracturae 3.12 MPa·m¹/², et modulum elasticitatis 457 GPa praebet. Typica conductivitas thermalis materiae (120–150 W/m·K) et expansio thermalis humilis (4.0–4.5×10⁻⁶/℃) celerem temperaturae augmentum et minimam deformationem lamellae durante cyclis thermalibus permittunt. Mandrinum configurari potest ut mandrinum vacuum porosum (fluxus gasis uniformis) vel mandrinum standard sulcatum. Cum temperatura usus maxima 1600–1700°C (sine onere) et resistentia erosionis plasmatis exceptionali, hoc mandrinum ideale est ad processum lamellarum altae temperaturae (recoctio, RTP) et ad cameras corrosionis aggressivas ubi mandrini aluminae degradantur.

 

Specificationes(ex relatione probationis SiC S1111 suppeditata et valoribus typicis)):

Possessio Valor
Materia SiC (99.72% SiC, 0.05% Si Liberum)
Densitas 3.10–3.15 g/cm³
Absorptio Aquae 0%
Robur Flexurale 449 MPa
Robustitia Fracturae 3.12 MPa·m¹/²
Modulus Elasticus 457 GPa
Duritia Vickersiana 25–28 GPa
Conductivitas Thermalis 120–150 W/m·K
CTE (25–1000°C) 4.0–4.5×10⁻⁶/℃
Temperatura Maxima Usus (sine onere) 1600–1700°C
Planities (supra 300mm) ≤5 μm
Superficies Finis Ra ≤0.4 μm (lamellatum)

 

Applicationes:

● Coniectura altae temperaturae (recoctio, RTP, incrementum epitaxiale)

● Mandrinum corrosionis plasmatis cum magna resistentia fluori

● Tractatio crustularum tenuium cum calefactione/refrigeratione uniformi

● Mandrinum porosum ad sustentationem crustulae sine contactu

 

Fabricatio:

Sinterizatio SiC → tritura accurata planitatis et formae superficialis → formatio structurae porosae (optionalis) (pro mandrino vacuo) → laminatio → purgatio ultrasonica. Quisque mandrino 100% inspicitur pro planitate (interferometro laserico) et uniformitate vacui (probatione fluxus).

 

Qualitatis Moderatio:

● Inspectio dimensionalis CMM (diameter, crassitudo, positiones foraminum)

● Mensura planitudinis secundum ASTM

● Examen effluxus helii (pro mandrinis vacuis)

● Verificatio roboris flexuralis per seriem (vide relationem probationis)

 

Commoda prae Mandrinis Aluminae:

● Maior conductivitas thermalis (120–150 contra 32 W/m·K pro alumina) – 4× velocior translatio caloris

● CTE inferior (4.0 contra 7.2×10⁻⁶/℃) – tensionem thermalem lamellae minuit

● Resistentia plasmatis superior – decies longior vita in corrosione fluori

● Temperatura usus maxima altior (1600°C contra 800°C pro alumina)

 

Adaptatio:

● Superficies porosa vel sulcata

● Diametros 100–450 mm, rotundus vel quadratus

● Anulus obsignans marginem vel partitiones vacuum zonales

● Optio fulcri metallici ad figendum altae rigiditatis

Omnia data mechanica supra ex relatione probationum provisa (serie S1111) proveniunt. Valores thermici et duritiae huic gradui SiC typici sunt. Mandrini SiC porosi elaborationem additiciam requirunt; de disponibilitate specifica porositatis et magnitudinis pororum quaeso inquire.


  • Praecedens:
  • Deinde: